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EX-300 Shallow Probe

Solução de metrologia de composição de semicondutores de linha de frente para nó de 22 nm e superior
A EX-300 da CAMECA é uma ferramenta única de metrologia baseada na LEXES que suporta os principais desenvolvimentos de semicondutores desde a era dos nós de 90 nm e acompanha a integração dos mais diversos materiais. Ela acelera o tempo de colocação no mercado de seus dispositivos lógicos e de memória e aumenta a produção integrada de seu alto volume de produção.
  • Visão geral do produto +


    A EX-300 se beneficia de mais de uma década de experiência com a tecnologia LEXES no setor de semicondutores: dezenas de Shallow Probes LEXFAB-300 foram instaladas nas dez principais instalações de fabricação de semicondutores em todo o mundo. A EX-300 destina-se a novas aplicações desafiadoras, como SiGe e HKMG, e é projetada para acelerar o tempo de colocação no mercado de dispositivos lógicos e de memória, enquanto obtém alto rendimento na produção.

    A ferramenta preferida em problemas no processo de linha de frente no nó de 32 nm e superior
    Baseada na técnica de não contato e não destrutiva LEXES - uma solução única para a medição direta da composição química na superfície e próximo à superfície - a EX-300 oferece um leque de recursos complementares, ampliando os domínios da metrologia clássica para os atuais processos desafiadores:
    • Implantes ultrassuperficiais: Monitoramento dos implantes de baixa energia e alta concentração
    • Controle de processo de silício expandido: Composição química e espessura nas camadas epitaxiais, como B:SiGe e P:SiC, sem limitação na composição da camada
    • Metrologia de HKMG: Os óxidos e o metal são controlados por uma única plataforma EX-300

    A EX-300 da CAMECA oferece mais estabilidade a longo prazo com excelente limite de vácuo. O gráfico abaixo mostra a reprodutibilidade ao longo de vários meses, para uma dosagem média de As de 1,97e15 átomos/cm2 com desvio-padrão relativo (1σ) global de 0,622%.

    Análise robusta e avançada de padrões
    A EX-300 foi projetada especificamente para executar a metrologia de wafers com padrões desafiantes de contatos até 30 x 30 µm.
    Um brilho maior é obtido com o novo canhão de LaB6, garantindo assim uma sonda pequena mais densa. Fonte de luz e óptica melhorada e uma nova câmera digital com zoom permitem a navegação visual suave, enquanto o novo mandril eletrostático prende o wafer com segurança.

    Projeto otimizado e fácil controle por ferramenta para maior tempo de atividade
    A EX-300 fornece 5 a 20% de melhoria de rendimento em comparação com o modelo anterior Shallow Probe LEXFAB-300 (dependendo da aplicação). A melhor ergonomia permite uma rápida manutenção e MTTR otimizado. O software LEXES-Pilot totalmente integrado fornece uma interface amigável ao usuário, bem como automação de fábrica confiável.
    LEXES-implant-dosimetry

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    Uma seleção de publicações sobre LEXES e Shallow Probe
    Characterization of arsenic PIII implants in FinFETs by LEXES, SIMS and STEM-EDX. Kim-Anh Bui-Thi Meura, Frank Torregrosa, Anne-Sophie Robbes, Seoyoun Choi, Alexandre Merkulov, Mona P. Moret, Julian Duchaine, Naoto Horiguchi, Letian Li, Christoph Mitterbauer. 20th International Conference on Ion Implantation Technology (IIT), 2014. DOI: 10.1109/IIT.2014.6940011

    Implantation and metrology solutions for low energy boron implant on 450mm wafers. A-S. Robbes, , K-A B-T. Meura, M-P. Moret, M. Schuhmacher, F. Torregrosa, G. Borvon. 20th International Conference on Ion Implantation Technology (IIT), 2014. DOI: 10.1109/IIT.2014.6940018

    Comparison of Different Characterization Techniques for Plasma Implanted Samples having Highly Doped and Shallow Implanted Layers: Dose Measurement, Profile, Etching or Deposition Characterizations.
    F. Torregrosa, C. Grosjean, N. Morel, M.P. Moret, M. Schuhmacher, Y. Depuydt, Y. Spiegel, H. Etienne, S.B. Felch, J. Duchaine, L. Roux, B. Bortolotti, R.Daineche, 18th International Conference on Ion Implantation Technology IIT 2010. AIP Conference Proceedings, Volume 1321, pp. 161-166 (2011)

    Shallow As dose measurements of 300mm patterned wafers with Secondary Ion Mass Spectrometry and Low energy Electron induced X-ray Emission Spectroscopy. H.U. Ehrke, N. Loibl, M.P. Moret, F. Horreard, J. Choi, C. Hombourger, V. Paret, R. Benbalagh, N. Morel, M. Schuhmacher, J. Vac. Sci. Technolo. B 28 (1), Feb 2010

    Addressing the challenges in elemental composition, thickness determination, and dopant dosimetry from FE to BE. Mona P. Moret, Chrystel Hombourger, Francois Desse, Rabah Benbalagh, Valerie Paret, Michel Schuhmacher, Semiconductor Fabtech, 37th edition, Volume 2, June 2008

    The low energy X-ray Spectrometry technique as applied to semiconductors. Pierre-Francois Staub, Microscopy and Microanalysis, 12, 1-7, 2006

    Dopant dose metrology for ultra-shallow implanted wafers using electron-induced X-ray spectrometry at pattern-size scale.
    P.F. Staub, R. Benbalagh, F. Desse, C. Hombourger, M. Schuhmacher. Proceedings of the 2005 International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology, University of Texas at Dallas, March 2005

    In-line quantitative dose metrology of ultra thin gate oxides.
    Y. Jee et al. Proceedings of the 2005 International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology, University of Texas at Dallas, March 2005

    Quantitative determination of dopant dose in ultra-shallow implants using the LEXES technique. P.F. Staub, C. Hombourger, M. Schuhmacher, J. Vac. Sci. Technol. B, January 2001

    LEXES and SIMS as complementary techniques for full quantitative characterization of nanometer structures.
    C. Hombourger, P.F. Staub, M. Schuhmacher, F. Desse, E. de Chambost, C. Hitzman, Proceedings of SIMS XIII, Nara, Japan, November 2001