Recentemente, o imec, centro de pesquisa de semicondutores avançados sediado na Europa, desenvolveu dispositivos de bifurcação que ultrapassam os limites da arquitetura de nanofolhas. Os processos de gravação nessas estruturas 3D complexas são uma etapa crítica para a qual os fabricantes precisam de ferramentas analíticas precisas e sensíveis.
Assista ao vídeo para ver como a ferramenta AKONIS SIMS mede com precisão as concentrações elementares para diferentes taxas de gravação, superando outros sistemas analíticos em termos de sensibilidade. O sistema de detecção exclusivo do AKONIS SIMS, combinado com uma nova fonte de íons incorporada em uma coluna primária de energia ultrabaixa, oferece excelente resolução de profundidade com faixa dinâmica muito alta.
Mostramos que o AKONIS é capaz de determinar a porcentagem de germânio remanescente mesmo para a amostra mais gravada, até 5%. O software AKONIS centraliza automaticamente o feixe de íons primários em pequenas almofadas, mesmo com baixa energia de impacto, permitindo o monitoramento fácil do wafer padronizado em um ambiente de fabricação de alto volume.