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Perfilometria em profundidade de implantes profundos e superficiais (SIMS)

Deep and shallow implant depth profiling
Na tecnologia de semicondutores, os materiais e, portanto, os problemas analíticos mudam rapidamente. Graças à sua excelente capacidade de perfilometria em profundidade, a IMS 7f-Auto da CAMECA é amplamente utilizada para monitoramento de dopantes no setor de semicondutores e é aplicada a diferentes espécies e sistemas de materiais. Entre as vantagens do instrumento estão duas fontes de íons de alto brilho (Cs+ e O2+), alta transmissão, alta resolução de massa…

Limites de detecção excelentes para implantes profundos
Para implantes profundos, perfis de profundidade até vários micrômetros podem ser analisados em apenas alguns minutos com sensibilidade impressionante e grande alcance dinâmico. Para os três dopantes principais de Si (B, P e As), pode-se obter um limite de detecção na faixa ppb. Ao contrário da TOF-SIMS, os limites de detecção são melhorados na IMS 7f-Auto ao aumentar velocidade de remoção de átomos (sputtering).
À esquerda: Fósforo em silício - excelentes limites de detecção e alto rendimento de amostras (tempo de análise total de 200 s) para implantes profundos.

Resolução de profundidade otimizada para implantes rasos
Na IMS 7f-Auto CAMECA, a energia de impacto pode ser continuamente reduzida até 500 eV, proporcionando uma excelente resolução de profundidade, ao mesmo tempo mantendo boa sensibilidade. Portanto, a IMS 7f-Auto pode ser utilizada para a caracterização da distribuição em profundidade de dopantes e impurezas em amostras implantadas perto da superfície ou estruturas de camada fina.
À direita: Implantes rasos de boro em silício - excelente resolução de profundidade para perfilometria em profundidade de baixa energia.