Skip to content

Monitoramento de dopantes em dispositivos de LED (SIMS)

Dopant monitoring in LEDs with SIMS
Uma dopagem otimizada (Mg, Si, Zn...) e uma menor incorporação de impurezas (C, H, O, metais) são essenciais para dispositivos LED de alta eficiência. Usando a SIMS dinâmica, perfis de profundidade podem ser gravados até vários micrômetros dentro de minutos, com limites de detecção da faixa de ppm até ppb dependendo da espécie a ser analisada. A SIMS dinâmica também oferece alta resolução de profundidade, que tem sido amplamente utilizada na tecnologia de implante ultrarraso. Dessa forma, os instrumentos SIMS CAMECA são extremamente úteis na investigação da composição e caracterização da distribuição elementar de dopantes e impurezas em diferentes camadas, tornando-os a melhor escolha para a P&D e controle de processo de novos dispositivos de LED.

Monitoramento da composição de estruturas e dopantes
Com base em um espectrômetro de massa de setor magnético, a IMS 7f-Auto alcança o melhor desempenho em termos de sensibilidade, resolução de profundidade e resolução de massa. Os dados de perfilometria em profundidade são rotineiramente obtidos tanto para espécies da matriz quanto para dopantes. As condições experimentais são selecionadas a fim de proporcionar os melhores limites de detecção para dopantes tanto do tipo p quanto do tipo n e para garantir um rendimento otimizado e facilidade de uso.

Controle de impurezas e análise de falhas
Em compostos de LED, contaminações indesejáveis de H, C e O em falhas da estrutura cristalina GaN afetam as propriedades elétricas e mudam o comprimento de onda a ser emitido. Graças ao vácuo otimizado na câmara de análise e ao bombardeamento por feixe primário de alto brilho, a IMS 7f-Auto supera todos os outros instrumentos analíticos no mercado para a análise de elementos leves. Os limites de detecção para H, C e O são incomparáveis.