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Metrologia de implantes ultrarrasos (EXLIE SIMS)

Implant monitoring with EXLIE SIMS tool
Fabricação mais recente de chip semicondutor e maior redução de tamanho de dispositivos CMOS impulsionam os limites das profundidades de junção abaixo da faixa de 10 nm, com uma taxa de redução de 1-2 nm por década. Nessa escala, a técnica SIMS pode ser usada para monitorar as distribuições de dopantes em profundidade, provando que os perfis de SIMS podem ser medidos com uma resolução de profundidade melhor que 1 nm por década.

Obtenção de resolução de profundidade subnanométrica com SIMS de energia de impacto extremamente baixa (Extreme Low Impact Energy)
Recentes inovações nas fontes de íons de SC Ultra e IMS Wf melhoraram a densidade do feixe primário a energias de impacto muito baixas, dando acesso a taxas de remoção de átomos de 1 nm/min tanto para Cs+ como para O2+ a 150 eV. Uma vasta gama de energias de impacto de íons primários acessíveis permite selecionar condições analíticas adequadas, a fim de obter uma verdadeira distribuição da concentração em profundidade. O alto alcance dinâmico em cada perfil é um elemento-chave para uma medição de alta precisão.

Uma das principais vantagens do modus operandi da EXLIE é combinar a resolução de profundidade subnanométrica com uma exata quantificação próxima à superfície, resultando na verdadeira distribuição das espécies de dopantes implantadas.

Acima são mostrados os perfis de implante de baixa energia, revelando a distribuição real nos primeiros 10 nm. As: 250 eV - P: 200 eV - B: 100 eV.