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Controle de impurezas (SIMS)

Impurity control with SIMS - O depth profile in Si
As técnicas comuns de microanálise, como Espectrometria de Massa por Descarga Luminescente, falham ao medir elementos leves (H, C, N e O) por causa das limitações por alto sinal de fundo. A SIMS de Tempo de Voo (em inglês Time of Flight – TOF) pode analisar elementos gasosos atmosféricos, mas com limites de detecção apenas inexpressivos, devido a uma velocidade de aquisição muito baixa e problemas de contaminação resultantes de seu design intrínseco de pulso de feixe de íons.
Baseada na técnica dinâmica da SIMS, a IMS 7f-Auto é projetada para atingir limites de detecção excelentes nas medições de elementos leves, graças às suas características mencionadas a seguir:
  • Projeto de sputtering por feixe de íons contínuo e espectrômetro de massa de setor magnético, proporcionando extrema sensibilidade;
  • Câmara de análise UHV com condições de vácuo otimizadas, reduzindo o nível de ruído de fundo criado por gases residuais;
  • Câmara de armazenamento com seis suportes, totalmente automatizada, proporcionando alto rendimento à medida que múltiplas amostras são bombeadas para baixo e desgaseificadas durante a noite;
  • Feixe de íons primários de Cs de alta densidade, permitindo alta taxas de sputtering que melhoram significativamente os limites de detecção.
Além disso, a IMS 7f-Auto oferece capacidades de perfilometria em profundidade com alta resolução de profundidade e alto rendimento, podendo fornecer informações sobre a uniformidade com resolução lateral submicrométrica.

Acima: Excelente limite de detecção de oxigênio em Si (baixo, E16 at./cm3), usando feixe primário de Cs+ de alta energia de impacto de 15 keV, sob diferentes condições de taxa de remoção de átomos (SR). Tais perfis de profundidade podem ser registrados em até vários micrômetros dentro de minutos.