Princípios básicos do SIMS dinâmico, permitindo composição em volume e distribuição de profundidade de elementos-traço, com uma resolução de profundidade variando de subnanômetros a dezenas de nm.
SIMS totalmente automatizado com limites de detecção inigualáveis, otimizado para aplicações difíceis como, por exemplo, vidro, metais, cerâmica, à base de Si, III-V, II-VI, materiais a granel, filmes finos
Equipamento SIMS compacto de alto rendimento para medições em amostras geológicas, ou seja, isótopos estáveis, Elementos de Terras Raras (REE), elementos-traço...
Microssonda SIMS de Grande Geometria com desempenho analítico inigualável para aplicações geocientíficas, como isótopos estáveis, elementos-traço, geocronologia, análise de partículas, entre outros.
Microssonda SIMS para geocronologia com sensibilidade de referência para análises isotópicas in loco de U-Th-Pb em uma plataforma fácil de usar e de alto rendimento.
Sucessor da mundialmente aclamada série de espectrômetros de massa de íons secundários NanoSIMS 50/50L, o NanoSIMS-HR oferece resolução lateral de 30 nm sem precedentes, alto rendimento, confiabilidade e tempo de atividade e capacidade criogênica?
Microssonda SIMS para análise de característica ultrafina em materiais, geologia, ciências planetárias e da vida
SIMS em linha totalmente automatizado, que realiza medições de composição em tempo real para fabricação de semicondutores em alto volume
Ferramentas SIMS de alto desempenho e baixo consumo para aplicações de semicondutores avançados: implantes extrarrasos e de alta energia, óxidos ultrafinos, HKMG, SiGe, PV, LED, grafeno
SIMS quadripolar de referência, combinando recursos de perfilometria em profundidade ultrarrasa com facilidade de operação para aplicações de semicondutores.
Microssonda iônica blindada para a manipulação segura e a análise elementar e isotópica precisa das amostras radioativas.