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SIMS

A técnica SIMS fornece uma combinação única de sensibilidade extremamente alta para todos os elementos, do hidrogênio ao urânio e acima (limite de detecção até o nível de ppb para muitos elementos), imagem de alta resolução lateral (até 40 nm) e um ruído de fundo muito baixo que permite alto alcance dinâmico (mais de 5 décadas).
  • SIMS
    Introdução à SIMS

    Princípios básicos do SIMS dinâmico, permitindo composição em volume e distribuição de profundidade de elementos-traço, com uma resolução de profundidade variando de subnanômetros a dezenas de nm.

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  • IMS 7f-Auto
    IMS 7f-Auto

    SIMS totalmente automatizado com limites de detecção inigualáveis, otimizado para aplicações difíceis como, por exemplo, vidro, metais, cerâmica, à base de Si, III-V, II-VI, materiais a granel, filmes finos

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  • IMS 7f-GEO
    IMS 7f-GEO

    Equipamento SIMS compacto de alto rendimento para medições em amostras geológicas, ou seja, isótopos estáveis, Elementos de Terras Raras (REE), elementos-traço...

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  • IMS 1300-HR3
    IMS 1300-HR³

    Microssonda SIMS de Grande Geometria com desempenho analítico inigualável para aplicações geocientíficas, como isótopos estáveis, elementos-traço, geocronologia, análise de partículas, entre outros.

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  • KLEORA
    KLEORA

    Microssonda SIMS para geocronologia com sensibilidade de referência para análises isotópicas in loco de U-Th-Pb em uma plataforma fácil de usar e de alto rendimento.

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  • NanoSIMS 50L
    NanoSIMS 50L

    Microssonda SIMS para análise de característica ultrafina em materiais, geologia, ciências planetárias e da vida

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  • AKONIS icon
    AKONIS

    SIMS em linha totalmente automatizado, que realiza medições de composição em tempo real, diretamente nas linhas de fabricação de semicondutores.

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  • SC Ultra
    IMS Wf e SC Ultra

    Ferramentas SIMS de alto desempenho e baixo consumo para aplicações de semicondutores avançados: implantes extrarrasos e de alta energia, óxidos ultrafinos, HKMG, SiGe, PV, LED, grafeno

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  • SIMS 4550
    SIMS 4550

    SIMS quadripolar de referência, combinando recursos de perfilometria em profundidade ultrarrasa com facilidade de operação para aplicações de semicondutores.

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  • ACTINIS - IMS blindado

    Microssonda iônica blindada para a manipulação segura e a análise elementar e isotópica precisa das amostras radioativas.

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