A IMS 7f-Auto é amplamente utilizada no monitoramento de dopantes no setor de semicondutores e é aplicada em diferentes espécies e sistemas de materiais.
A SIMS dinâmica é uma das mais eficientes técnicas de medição de concentrações de traços de impurezas em semicondutores.
As ferramentas Extreme Low Impact Energy SIMS são usadas para monitorar distribuições de dopantes em profundidade.
A Tomografia por Sonda Atômica tem a capacidade única de mapear a distribuição espacial e a identidade química de dopantes em dispositivos transistores cada vez menores.