SIMS 4550

Resolução de alta profundidade e alto rendimento
Com dispositivos cada vez menores, os perfis de implante e a espessura da camada dos semicondutores atuais estão geralmente na faixa de 1 a 10 nm. A SIMS 4550 foi otimizada para atender a essas áreas de aplicação, oferecendo um feixe principal de alta densidade de oxigênio e césio com uma energia de impacto programável de 5 keV a até 150 eV.

Flexibilidade
A SIMS 4550 da CAMECA é uma ferramenta SIMS dinâmica que oferece total flexibilidade em condições de pulverização (ângulo de impacto, energia, espécie). Com opções específicas para compensação de carga (canhão de elétrons, laser) durante a pulverização da amostra, os materiais isolantes podem ser analisados facilmente. A SIMS 4550 mede a espessura da camada, alinhamento, brusquidão, integridade, uniformidade e estequiometria. Os suportes de amostras podem acomodar uma variedade delas: pequenos pedaços de alguns mm² até amostras de 100 mm de diâmetro.

Alta precisão e automação
A óptica do analisador quadripolar de última geração e o desempenho superior de pico-ruído de fundo são os principais fatores para os baixos limites de detecção de elementos-traço. A SIMS 4550 oferece uma excelente sensibilidade para H, C, N e O, graças ao seu avançado design UHV com pressão baixa na câmara principal na ordem de E-10 mbar (E-8 Pa). Fontes de íons e dispositivos eletrônicos ultraestáveis garantem maior precisão e repetibilidade de medições de até < 0,2% DPR.
O fator humano na precisão é levado em consideração com o software de fácil utilização, orientações predefinidas, operação remota e solução de problemas. Todas as configurações de cada medição são armazenadas em um banco de dados. Por isso, as medidas repetidas estão a apenas alguns cliques de distância. Outros recursos de automação

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Monitoring of rapid thermal anneal with secondary ion mass spectrometry. Z. X. Jiang, A. Ravi, T. Breeden, K. Khmelnitskiy, A. Duncan, D. Huynh, S. Butler, B. Granados, D. Acker, J. Luebbe, D. Sieloff, S. Bolton, and G. Prieto. J. Vac. Sci. Technol. B 42, 034007 (2024)
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Shallow As dose measurements of 300mm patterned wafers with Secondary Ion Mass Spectrometry and Low energy Electron induced X-ray Emission Spectroscopy. H.U. Ehrke, N. Noible, M.P. Moret, F. Horreard, J. Choi, C. Hombourger, V. Paret, R. Benbalagh, N. Morel, M. Schuhmacher, J. Vac. Sci. Technolo. B 28 (1), 1071-1023, Jan/Feb 2010

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