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SIMS 4550

SIMS Quadripolar para Perfilometria de Profundidade de Dopante e Análise de Camada Fina em Semicondutores
A SIMS 4550 da CAMECA oferece recursos estendidos para perfilometria em profundidade ultrarrasa, elementos-traço e medições de composição de camadas finas em Si, HK, SiGe e outros materiais compostos, tais como III-V para dispositivos ópticos.
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    Resolução de alta profundidade e alto rendimento
    Com dispositivos cada vez menores, os perfis de implante e a espessura da camada dos semicondutores atuais estão geralmente na faixa de 1 a 10 nm. A SIMS 4550 foi otimizada para atender a essas áreas de aplicação, oferecendo um feixe principal de alta densidade de oxigênio e césio com uma energia de impacto programável de 5 keV a até 150 eV.

    Flexibilidade
    A SIMS 4550 da CAMECA é uma ferramenta SIMS dinâmica que oferece total flexibilidade em condições de pulverização (ângulo de impacto, energia, espécie). Com opções específicas para compensação de carga (canhão de elétrons, laser) durante a pulverização da amostra, os materiais isolantes podem ser analisados facilmente. A SIMS 4550 mede a espessura da camada, alinhamento, brusquidão, integridade, uniformidade e estequiometria. Os suportes de amostras podem acomodar uma variedade delas: pequenos pedaços de alguns mm² até amostras de 100 mm de diâmetro.

    Alta precisão e automação
    A óptica do analisador quadripolar de última geração e o desempenho superior de pico-ruído de fundo são os principais fatores para os baixos limites de detecção de elementos-traço. A SIMS 4550 oferece uma excelente sensibilidade para H, C, N e O, graças ao seu avançado design UHV com pressão baixa na câmara principal na ordem de E-10 mbar (E-8 Pa). Fontes de íons e dispositivos eletrônicos ultraestáveis garantem maior precisão e repetibilidade de medições de até < 0,2% DPR.
    O fator humano na precisão é levado em consideração com o software de fácil utilização, orientações predefinidas, operação remota e solução de problemas. Todas as configurações de cada medição são armazenadas em um banco de dados. Por isso, as medidas repetidas estão a apenas alguns cliques de distância. Outros recursos de automação

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  • Publicações Científicas +


    Abaixo está uma seleção de publicações do Quadrupole SIMS
    Imagens e análise de hidrogênio pelo SIMS em cladeamento de liga de zircônio: abordagem com feixes de íons duplos N.Mine, S.Portier e M.Martin. Surface and Interface Analysis. Volume 46, Edição S1, Págs. 249–252, Novembro 2014

    Medições de dose rasa As de pastilhas de 300 mm padronizadas com espectrometria de massa de íons secundários e espectroscopia de emissão de raios X induzida por elétrons de baixa energia. H.U. Ehrke, N. Noible, M.P. Moret, F. Horreard, J. Choi, C. Hombourger, V. Paret, R. Benbalagh, N. Morel, M. Schuhmacher, J. Vac. Sci. Technolo. B 28 (1), 1071-1023, Jan/Feb 2010

    Dependência de espessura da mobilidade do furo em p-MOSFETs de canal de SiGe ultrafino.
    C.N. Chleirigh, N.D. Theodore, H. Fukuyama, S. Mure, H.-U. Ehrke, A. Domenicucci, J.L. Hoyt, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 55, Edição 10, pp 2687-2694, Outubro 2008

    Análise SIMS de pastilhas implantadas e recozidas por RTP para tecnologia sub-100 nm. H-U.Ehrke, A.Sears, W.Lerch, S.Paul, G.Roters, D.F.Downey, E.A.Arevalo. Paper at USJ 2003 published in JVST-B 22(1) Jan-Feb 2004

    Quantificação de Ge e B em SiGe usando espectrometria de massa de íons secundários. H-U.Ehrke, H.Maul, Materials Science in Semiconductor Processing, Vol. 8, Edições 1-3, 2005, 111-114

    Compensação de carga usando aprimoramento de condutividade óptica e protocolos analíticos simples para SIMS de camadas de liga Si1-xGex resistivas. M. G. Dowsett and al. Applied surface science, 9299 (2002) 1-4

    Estabelecimento de calibração precisa de escala de profundidade nos primeiros principais nanômetros de um perfil de implante ultra-raso.
    M. G. Dowsett and al. Rev. B 65, 113412 (2002)