Cientistas estão explorando o óxido de índio e estanho (ITO) como um material de eletrodo para abordar os problemas de tamanho e alta temperatura dos sensores eletroquímicos baseados em zircônia estabilizada com ítria (YSZ). Eles testaram um sensor de oxigênio YSZ multicamadas de filme fino, configurado com Cu-Cu2O como eletrodo de referência e ITO como eletrodo de trabalho em um substrato SrTiO3.
O sensor detectou níveis de oxigênio de 10 a 824 ppm em temperaturas tão baixas quanto 623 K, sem desvios de linha de base. Usando a Espectrometria de Massa de Íons Secundários Dinâmicos (D-SIMS), os pesquisadores estudaram a difusão de íons entre ITO e YSZ, encontrando mudanças significativas de concentração em uma profundidade de 20 nm para íons de índio e estanho. A interface nítida entre ITO e YSZ, mesmo após deposição em alta temperatura, mostrou uma alta densidade de corrente de troca, que diminuiu significativamente com a temperatura. A alta resolução de profundidade e sensibilidade do D-SIMS foram cruciais na análise dessas interfaces, fornecendo insights para otimizar materiais de sensores.
Descubra os detalhes baixando a nota de aplicação completa:
D-SIMS Analysis of Electrochemical Sensors
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