β-Ga2O3 é um material promissor para eletrônica de potência de próxima geração devido à sua banda ultralarga e alto campo de ruptura. O silício é um dopante eficaz para β-Ga2O3, adequado para dispositivos laterais e verticais. Pesquisadores se concentraram na dopagem contínua de Si em filmes epitaxiais β-Ga2O3 em substratos (010) e (001) usando uma célula de efusão valvulada. A espectrometria de massa de íons secundários dinâmicos (D-SIMS) foi usada para medir concentrações de Si, revelando um pico na interface filme/substrato em substratos (010).
Dopagem contínua com perfis planos foi alcançada, e a estabilidade foi confirmada em temperaturas acima de 1000 °C. Em substratos (001), um perfil de dopagem de Si plano de 8,3 × 10^18 cm−3 foi observado, destacando alta eficiência de ionização. O D-SIMS provou ser essencial para o controle preciso de dopagem, marcando um avanço significativo na ciência de materiais de eletrônica de potência e melhorando o desempenho e a confiabilidade do dispositivo.
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Power Electronics: Accurate characterization of Si-doped β-Ga2O3 epitaxial films
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