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Este webinar revela uma nova abordagem para o monitoramento de rotina do recozimento térmico rápido (RTA) usando a espectrometria de massa de íons secundários (SIMS).
Nosso palestrante, Jack Jiang, engenheiro principal da NXP Semiconductors, tem mais de 30 anos de experiência em aplicações de P&D e SIMS. Jack compartilhará exemplos e análises convincentes para abordar uma questão crítica: O SIMS é uma boa técnica para o monitoramento de rotina de RTA?
Os principais aprendizados incluem:
- Problemas com o método comum de monitoramento de Rs e a necessidade de uma alternativa.
- Fundamentos do SIMS para obter boa sensibilidade, boa repetibilidade e alto rendimento para suporte confiável à fabricação.
- O impacto do SIMS na estabilidade do processo e no rendimento do dispositivo.
Não perca esta oportunidade de descobrir como o SIMS pode aprimorar o monitoramento de RTA e otimizar os processos de fabricação de semicondutores.
Sobre o palestrante
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Jack (Zhixiong) Jiang é um dos principais engenheiros da NXP Semiconductors. Ele está comprometido com P&D e aplicações de SIMS há 30 anos e publicou mais de 50 artigos sobre fundamentos e aplicações de SIMS. |